Эффект гигантского магнитосопротивления (GMR) относится к значительному изменению удельного электрического сопротивления магнитных материалов под внешним магнитным полем. Это квантово-механическое явление происходит в слоистых тонкопленочных структурах, состоящих из чередующихся ферромагнитных и неферромагнитных слоев. Когда магнитные моменты ферромагнитных слоев выровнены параллельно, спин-зависимое рассеяние носителей заряда минимизируется, что приводит к наименьшему сопротивлению. И наоборот, когда магнитные моменты антипараллельны, спин-зависимое рассеяние максимизируется, что приводит к самому высокому сопротивлению.
EN
jp 
ko 
fr 
de 
es 
tr 
ru 
pt 
ar 
vi 
